4月8日，深科技发布投资者关系活动记录表称，具备最新一代DRAM的封测能力，持续推进10nm级DRAM的技术迭代。
关于公司存储先进封测与模组制造项目情况进展情况，深科技称，合肥沛顿为公司与地方政府共同投资建设的集成电路先进封测和模组制造项目，总投资金额100亿元，主要为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务。其中一期项目投资30.67亿元，深科技已公告拟通过非公开发行募资17.1亿元，与国家集成电路大基金二期、合肥经开创投等共同投资完成，包括新建月均产能4800万颗DRAM存储芯片封装测试的项目、月均246万条存储模组项目和月均产能320万颗NAND Flash存储芯片项目。
目前合肥沛顿项目建设进展顺利，一期厂房将于今年第四季度完成建设，并于12月投入生产并形成有效产能，届时可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。
在集成电路半导体封装与测试的业务方面，深科技介绍到，公司全资子公司沛顿科技专注于存储芯片的封装测试，拥有行业最领先的封装测试生产线及十七年量产经验，在国内和国际同行中，沛顿科技的产品技术和制造工艺均位于行业前列，深科技作为目前国内唯一具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业，近年来持续发展先进封装测试技术，深入推进存储项目，与国内龙头存储芯片企业开展战略合作。深科技可提供从芯片封测、SMT制造、IC组装到芯片销售的一站式服务，从封装晶圆到完成内存成品小于7天,在行业内位于领先水平。
对于沛顿如何满足客户产能需求，深科技表示，目前客户业务主要集中在深圳园区生产，公司随着客户产能提升公司已进行相应的厂房扩建和设备投资，以满足客户产能快速提升的需求，未来相关项目建成后，将可满足国内外市场高性能存储芯片未来发展及客户新增产能持续扩张需求，进而打造公司集成电路半导体业务的长远竞争力。
据了解，深科技8Gb/16GbDDR4已于2019年通过了国内外多个大客户的验证正式交付，目前公司在存储封测17nm量产基础上，持续推进更精密10nm级DRAM产品的技术迭代，不断向全球DRAM市场的主流工艺节点技术进行突破。深科技目前的封测技术能够覆盖主流存储器产品，并具备LPDDR3、LPDDR4和固态硬盘SSD的量产能力。同时，在国内外存储芯片向高速、低功耗、大容量发展的行业趋势下，深科技不断推动DDR5、LPDDR5等新产品的技术开发，且具备最新一代DRAM产品的封测能力。
目前，深科技存储芯片封测产品主要包括DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4、3DNAND以及Fingerprint指纹芯片等。在存储产品领域，目前产品主要包括内存模组、USB存储盘（U盘）、Flash存储卡、SSD等存储产品。
(校对/Arden)
