不久前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。
近日，兆易创新发布此次非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复称，自2008年首款NOR Flash上线以来，公司基于客户的需求及对市场的前瞻性预判，持续研发并上线了多种类的NOR Flash产品，并陆续推出NAND Flash、MCU系列产品，均受到客户的高度认可。
而DRAM及Flash同为存储芯片，其技术原理均为由存储单元经过阵列的方式堆叠形成，并在设计流程、设计方法、使用工具、模块划分等方面相同或高度相似，产品设计具备一定的共通性。兆易创新披露，公司Flash芯片的下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高，且大部分客户应用的系统架构同时包含Flash及DRAM，因此公司在Flash领域对客户需求的精准把握、对存储技术在不同终端领域的应用及将客户需求转变为具体产品的设计经验将对DRAM芯片设计产生重要的支持作用，公司可靠的产品设计能力是募投项目成功的保障。
在专利方面，截至2019年9月30日，兆易创新及控股子公司共拥有和使用508项境内专利、21项境外专利及16项集成电路布图设计。在DRAM技术及研发方面，公司已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年，具备较强的技术及研发实力。此外，公司在存储器领域的技术研发能力及拥有丰富经验的资深工程师团队也能够有效地加速推进DRAM芯片的研发工作，公司在存储器领域的技术与研发能力是募投项目成功实施的有力保障。
据披露，兆易创新拟通过本项目，设计和开发系列DRAM芯片，项目各阶段的实施时间及整体进度安排如下：
其中，兆易创新首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格设定及芯片设计工作，其中芯片设计包括仿真验证、逻辑整合、时序分析、功能验证、信号与频率布线、版图物理验证等，每个步骤都需要经过反复验证以确保设计的产品实现最优化的性能并能够满足兼容市场上所有系统平台的需求；定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证，实施时间预计在2020年；对首款芯片试样片进行封装测试，后送至系统芯片商处进行功能性认证，认证完毕后送至客户进行系统级验证，包含功能测试、压力测试、烧机验证等，通过所有验证后完成客户验证，验证完成后进行小批量产，实施时间预计在2021年。
兆易创新表示，公司拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。（校对/Lee）
