上海，2025年9月25日 —— 作为PCIM Asia展会第二日的亮点之一，全球领先的氮化镓功率半导体企业英诺赛科（Innoscience）在上海新国际博览中心N5-B16展位带来了一系列创新产品与解决方案，展示了氮化GaN技术在多个应用领域的最新成果。
本次展会上，英诺赛科集中展示了其多系列InnoGaN产品，包括工作电压范围从15V至900V的单片GaN、双向GaN（VGaN™）、双冷却LGA封装产品以及系统级封装的SolidGaN™芯片。这些产品为电力电子设计提供了更高效率、更高功率密度的选择。
六大创新方案首次亮相，覆盖多行业应用
英诺赛科此次带来了多个首次公开展示的创新方案，覆盖了家电、数据中心、新能源、汽车和机器人等热门领域：
在家电领域，展示了300W高压电机解决方案；数据中心方面，推出了12kW 800-48V DCDC转换器和8kW 54-12V 16相Buck转换器；新能源领域展示了700W微逆解决方案；汽车应用方面推出了6.6kW单级车载充电器（OBC）；机器人领域则展示了3kW电机驱动与重要关节解决方案。
其中，6.6kW单级OBC方案尤为引人注目，其峰值效率达到97%（在220Vac条件下），尺寸仅为224×186×48mm，功率密度高达54W/inch³，采用了英诺赛科的ISG6121BTA和INV650TQ015E芯片。
而在机器人应用方面，3kW电机驱动器支持48-72V输入电压，最大相电流达95A，在无风冷条件下的热测试表现优异，尺寸紧凑（185×100×30mm），采用了INS2040QC和INN100EBD018DAD芯片。
技术论坛分享GaN前沿见解
展会期间，英诺赛科GaN IC设计产品副总陈敏将在氮化镓专场论坛上发表题为《创新型氮化镓InnoGaN为下一代电力电子应用赋能》的演讲，分享英诺赛科在氮化镓技术方面的最新创新成果和对行业未来发展的洞察。
PCIM Asia作为电力电子领域的重要展会，一直致力于推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体技术的发展。英诺赛科的全面参与和丰富展示，充分体现了氮化镓技术在提升能效、减小系统尺寸方面的巨大潜力，为电力电子行业的创新发展提供了新的动力。
展会将于9月26日结束，业内人士可前往上海新国际博览中心N5-B16展位亲身体验英诺赛科的最新GaN技术与解决方案。
