长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布

天眼查显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581993A。

本发明提供一种半导体光子晶体发光结构及其制备方法，半导体光子晶体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层、第二半导体层和保护层，所述第一半导体层中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中，所述保护层位于所述凹槽的内壁表面，所述第二半导体层位于相邻的凹槽之间的所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面且未延伸至所述凹槽中。半导体光子晶体发光结构的光场模式调控能力提高。