据天眼查显示，北京京东方技术开发有限公司“一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年12月31日，申请公布号为CN119234315A。
本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板的制备方法，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的有源层，有源层包括沿背离衬底基板方向依次叠层设置的第一膜层和第二膜层；有源层的材料为包含铟元素和镓元素的金属氧化物，第一膜层中的铟元素含量为In1，第二膜层中的铟元素含量为In2，其中，0≤[|In1 In2|/max（In1，In2）]≤0.5；第一膜层和第二膜层为非晶态，第一膜层的材料的迁移率大于第二膜层的材料的迁移率。
