捷捷微电“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”专利公布

作者：爱集微 15小时前

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天眼查显示，江苏捷捷微电子股份有限公司“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969829A。

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SiC基RC‑IGBT结构及其制备方法。RC‑IGBT结构包括第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构。其特点是，所述半导体衬底由SiC材料制备而成。该RC‑IGBT结构的内置二极管Vf小，反向恢复时间短。

责编：赵碧莹

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