中文摘要：电磁干扰会影响CMOS电路工作性能，研究电路抗信号干扰能力将有利于设计性能更优的电路。电流型CMOS电路因在深亚微米工艺下相较于传统电路有高速度、低功耗等优势，近些年得到不断发展，其抗干扰能力值得进一步研究。文中介绍传统电压型CMOS、MOS电流型逻辑电路（MOS Current-Mode Logic，MCML）、电流型CMOS三种结构的非门电路。通过Cadence Virtuoso软件仿真模拟电磁干扰对三种非门电路的影响，并定义一个受干扰程度因子，用来研究比较不同干扰点、不同干扰波形、不同干扰频率在65纳米工艺下对电路的影响。并通过改变电流型CMOS电路输入端串联电阻值，研究干扰信号电阻与电路抗干扰性的关系。仿真结果表明：在高工作频率下，电流型CMOS电路具有更好的抗干扰性，且电流型CMOS电路工作频率越高，电路抗干扰性越强。此外，研究了不同温度和不同工艺对三种电路抗干扰性能的影响。在–40 °C至125 °C温度范围内，温度越高，电压型CMOS和MCML型电路抗干扰能力越弱，电流型CMOS电路抗干扰能力越强。28纳米工艺下，电流型CMOS电路比其他两种电路的相对抗干扰能力更强；28纳米工艺下电压型CMOS和MCML电路的相对抗干扰能力与65纳米工艺下的相对抗干扰能力相似，而28纳米工艺下电流型CMOS电路的相对抗干扰能力比65纳米工艺下的相对抗干扰能力强。论文工作为设计抗电磁干扰的电流型CMOS电路提供依据。
关键词：电压型CMOS；MOS电流型逻辑电路；电流型CMOS；电磁干扰；反相器
作者：刘芳君，沈嘉明，沈继忠
单位：浙江大学信息与电子工程学院，中国杭州市，310027
本文引用格式：Fangjun LIU, Jiaming SHEN, Jizhong SHEN, 2024. Research on electromagnetic interference resistance performance of three kinds of CMOS inverters. Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 25(10):1390-1405.
https://doi.org/10.1631/FITEE.2400264
