长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权

作者：爱集微 11-04 07:24

来源：爱集微 #长光华芯#

1.4w

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为“半导体材料生长速率的测试方法”的专利，授权公告号为CN118168882B，授权公告日为2024年10月11日，申请日为2024年5月14日。

本发明提供一种半导体材料生长速率的测试方法，包括：对半导体衬底层进行刻蚀之后，在半导体衬底层的表面交替外延第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层均包括相同的主半导体材料；第一半导体层的导电类型和第二半导体层的导电类型不同；或者，第一半导体层还包括第一掺杂离子，第二半导体层还包括第二掺杂离子，第一掺杂离子的浓度和第二掺杂离子的浓度不同；沿晶向进行切割，形成切割面；对切割面进行显微镜测试，获取不同晶向对应的第一半导体层和/或第二半导体层的测试厚度；根据不同晶向对应的测试厚度、以及第一半导体层和/或第二半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率。