三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备

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据《 韩国经济日报》( Korea Economic Daily)的报道,三星准备在 2025 年之前提供尖端的3D封装服务,预计这是为将于 2026 年推出的下一个 HBM 内存标准 HBM4 做准备。"SAINT"封装技术采用垂直堆叠法,确保下一代 HBM4 内存标准的性能和效率大幅提升。

就三星 3D 封装的细节而言,它是 2.5D 方法的后继者,这一次,这家韩国巨头不再使用硅插层来连接 HBM 和 GPU,而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT(三星高级互连技术)平台,并将封装分为三种类型:SAINT-S、SAINT-L 和 SAINT-D。它们都处理不同的芯片,如 SRAM、Logic 和 DRAM。

与传统的 2.5D 相比,三星的 3D 封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠,该公司成功地缩小了芯片之间的距离,从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹,这也是广泛采用该技术的另一个好处。

韩国媒体称,三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛 2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术,因为英伟达(NVIDIA)和英伟达(AMD)宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于 3D 封装将与 HBM4 一起使用,预计三星的服务将与英伟达的 Rubin架构和 AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。

三星还计划到 2027 年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装,集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后,英特尔在其轻薄设计(如 Lunar Lake CPU)中采用了非常以 SoC 为中心的方法,而 AMD 也在垂直堆叠领域非常活跃,其独特的 HBM、MCD 和 3D V-Cache 堆栈横跨多个芯片,可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。

责编: 爱集微
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