总投资20亿元,嘉兴斯达SiC芯片项目计划3月投产

来源:爱集微 #斯达半导体# #SiC#
1.7w

近日,嘉兴斯达微电子有限公司高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目传出新动向。

3月4日,南湖发布消息显示,近日,浙江省发改委公布了2024年浙江省扩大有效投资“千项万亿”工程,南湖区14个重大项目入选,其中嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目等3个项目将于今年投产。

嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目建设地点位于嘉兴南湖区,总投资20亿元,总用地面积279亩,新增建筑面积20.6万平方米,新建生产厂房、动力楼、危化仓库等建构筑物,购置包括光刻机、涂胶显影机等工艺设备。建设单位为嘉兴斯达微电子有限公司,建设工期为2022-2024年,项目于2022年1月3日开工,计划2024年3月投入使用。项目投产后可实现年产36万片功率芯片生产能力。

资料显示,嘉兴斯达微电子有限公司成立于2021年2月,是斯达半导体股份有限公司(以下简称:斯达半导体)全资子公司,后者成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务。(校对/赵碧莹)

责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #斯达半导体# #SiC#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...