【授权】武汉新芯“晶圆键合方法及晶圆键合设备”专利获授权;奕斯伟计算时钟源校正专利公布;华为液冷系统专利公布

来源:爱集微 #专利#
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1.武汉新芯“晶圆键合方法及晶圆键合设备”专利获授权

2.武汉新芯“一种存储器件的制造方法及存储器件”专利公布

3.奕斯伟计算 “时钟源校正器、时钟电路、芯片和时钟源校正方法”专利公布

4.华为“一种散热系统、电子设备及液冷系统”专利公布


1.武汉新芯“晶圆键合方法及晶圆键合设备”专利获授权

集微网消息,天眼查信息显示,武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“晶圆键合方法及晶圆键合设备”的专利,授权公告号CN113299544B ,授权公告日为2024年02月27日,申请日为2021年5月25日。



本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备,晶圆键合方法包括:将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆,下晶圆固定在下卡盘,并将上晶圆和下晶圆对准;将静电吸附卡盘的顶针下压上晶圆的中心区域,使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触;调整静电吸附力的大小,使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘,并与下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆,在上晶圆下落与下晶圆键合的过程中,通过调整静电吸附力的大小,使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘,实现上晶圆下落过程中工艺可控,键合波由中心向四周扩展不受影响,完成晶圆键合;同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。

2.武汉新芯“一种存储器件的制造方法及存储器件”专利公布

集微网消息,天眼查信息显示,武汉新芯集成电路制造有限公司“一种存储器件的制造方法及存储器件”专利公布,申请公布日为2024年2月27日,申请公布号为CN117615578A。



本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件,制造方法包括:提供半导体基材,半导体基材包括衬底和多个栅极结构,多个栅极结构的一部分位于存储区域,每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极;在半导体基材上覆盖第一层间介质层,并在第一层间介质层中形成接触窗结构,接触窗结构包括源接触窗结构,每个源接触窗结构沿第二方向延伸,且与第二方向上同一行的多个源极连接;即本申请通过设置接触窗结构,能有效引出对应的源极和漏极,使得布线空间增大,降低金属布线精度要求,提高了制造效率。

3.奕斯伟计算 “时钟源校正器、时钟电路、芯片和时钟源校正方法”专利公布

集微网消息,天眼查显示,北京奕斯伟计算技术股份有限公司“时钟源校正器、时钟电路、芯片和时钟源校正方法”专利公布,申请公布日为2024年2月27日,申请公布号为CN117608359A。



本公开提供了一种时钟源校正器、时钟电路、芯片和时钟源校正方法。时钟源校正器用于校正目标时钟源输出的时钟信号的频率,包括:计数器,被配置为在时钟信号的驱动下进行计数;信号处理电路,被配置为接收外部信号,在外部信号中两个相邻有效脉冲的控制下,分别产生第一中断信号和第二中断信号;以及控制电路,与信号处理电路电连接,被配置为在第一中断信号的控制下,读取计数器的第一当前计数值,在第二中断信号的控制下,读取计数器的第二当前计数值;以及根据第一当前计数值与第二当前计数值之间的差值,确定目标校正系数,并将目标校正系数输出至目标时钟源。

4.华为“一种散热系统、电子设备及液冷系统”专利公布

集微网消息,天眼查信息显示,华为技术有限公司“一种散热系统、电子设备及液冷系统”专利公布,申请公布日为2024年2月27日,申请公布号为CN117616556A。 



本申请涉及散热技术领域,具体涉及一种散热系统、电子设备及液冷系统。其中,散热系统包括喷射组件,喷射组件具有冷却液进液口和喷射孔,喷射孔朝向发热器件;密封件,用于密封喷射组件的端部和发热器件的表面之间的部分;刚性上背板,环绕发热器件设置在基板的一侧;刚性下背板,与刚性上背板共同夹持基板;刚性限位结构件,与刚性上背板和/或刚性下背板通过连接件固定连接在基板;基板和刚性限位结构件之间具有高度限位空间,喷射组件的至少一部分位于高度限位空间内。高度限位空间限制喷射组件沿远离发热器件的方向运动,以使密封件保持密封状态。从而,本申请的散热系统降低了流入冷却液流出腔体中的冷却液泄露的可能性。


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