中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利公布

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集微网消息,天眼查显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司“半导体结构及其形成方法”专利公布,申请公布日为2024年2月20日,申请公布号为CN117577661A 。

本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法用于形成平行板电容器结构,包括:提供衬底,所述衬底上包括分立的鳍片以及横跨所述鳍片且平行分布的金属栅极板和源漏极板;在相邻所述鳍片之间的所述金属栅极板中形成开口,以减小所述金属栅极板和所述源漏极板的正对面积;在所述开口中形成表面和所述金属栅极板的顶面平齐的介电层。所述半导体结构及其形成方法能够减小平行板电容器的电容。

责编: 韩秀荣
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