传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

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集微网消息 1月5日,据财联社报道,由于内存半导体价格自2023年年底以来一直在上涨,韩国业内对该国内存半导体公司的投资回升预期越来越强烈,去年被推迟的设备订单或将在今年恢复。

据业内人士透露,DRAM机群工艺和HBM相关设备的订单如火如荼。三星电子正在扩大其HBM产能,已开始订购大型HBM设备。另外,三星电子和SK海力士已宣布将重点放在DRAM技术迁移上,预计对DRAM机群的投资将会增加,相关设备订单也已下达。一位业内人士表示,以向SK海力士供应蚀刻设备的APTC为例,前端工艺设备的订单比去年大幅增加。

近日,据韩国 Chosun Biz 报道,NVIDIA 已经向 SK 海力士、美光,交付了 700 亿至 1 万亿韩元(约合 5.4 亿至 7.7 亿美元)的预付款,业内预计了这笔款项在 10.8 亿美元到 15.4 亿美元之间。

虽然没有说明具体用途,但业界普遍认为,NVIDIA 是为了确保 2024 年 HBM 供应稳定,避免新一代 AI、HPC GPU 因为发布后库存不足而掉链子。

业内人士还透露,三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。

根据现有爆料信息,英伟达正准备推出两款配备 HBM3E 内存的产品:配备 141GB HBM3E 的 H200 GPU、以及 GH200 超级芯片,这俩产品相当时受欢迎。

毕竟在 NVIDIA 在 AI、HPC 领域遥遥领先,这也是为什么需要大量 HBM 内存,来确保 H200 GPU、以及 GH200 超级芯片的产品供应。

随着市场需求增长,相关厂商也开始调涨产品价格。据《台湾电子时报》报道,三星、美光两家存储芯片大厂,日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%,从1月起执行。市场上部分厂商已收到了三星的涨价预告。

“存储三巨头”中的另一家SK海力士去年10月已官宣涨价,计划将卖给厂商客户的DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%-20%。

责编: 邓文标
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