三星使用日本产EUV薄膜,透光率达到90%

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集微网消息,近日据半导体业界透露,三星的极紫外(EUV)光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上,三星DS事业部研究员Kang Young-seok详细介绍了EUV技术的现状和未来。

据悉,三星EUV技术的关键在于EUV薄膜的使用,这是半导体制造中光刻工艺所必需的材料,能够起到保护作用,防止外来颗粒造成缺陷。Kang Young-seok透露,三星使用的EUV薄膜的透光率已经达到90%,计划将其提高到94-96%。

90%的透光率意味着只有90%的进入薄膜的光到达掩膜,这比更常见的氟化氩(ArF)光源使用的99.3%的薄膜透光率要低。

三星在部分先进的EUV代工生产线上为主要客户引进了EUV薄膜。虽然在DRAM生产线上也采用了EUV工艺,但考虑到生产效率和成本,认为没有薄膜的存储器量产是可行的。

另外,Kang Young-seok暗示三星没有使用韩国国内供应商的EUV薄膜。他透露,日本三井是目前唯一的供应商。虽然FST和S&S Tech等韩国企业正在积极开发EUV薄膜,但尚未达到量产的阶段。

(校对/刘昕炜)

责编: 李梅
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