华为、哈工大联手:基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布

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集微网消息,近日,华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布,申请公布号为CN116960057A。

摘要显示,本发明涉及芯片制造技术领域。该方法包括:制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理;将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中,清洗后吹干;在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液,将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合,得到预键合芯片;将预键合芯片进行热压键合,退火处理,得到混合键合样品对。本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。

责编: 李梅
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