国芯科技:明年进行第三代更高性能RAID芯片开发

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集微网消息,近日,国芯科技在接受机构调研时表示,公司正在基于自主高性能RISC-V CPU研制开发第二代更高性能的RAID芯片,目前各项工作进展顺利,争取今年年底流片,未来有望达到国际主流RAID芯片的性能。明年公司规划进行第三代更高性能RAID芯片的开发。RAID芯片是服务器中广泛应用的一个重要芯片产品,长期以来被国外公司垄断,急需实现国产化替代。

同时,国芯科技已与香港应科院签署了合作备忘录及项目研发支持协议书,双方将建立“香港应科院-苏州国芯新型AI芯片联合研究实验室”。此外,国芯科技将对“Heterogenous AI Accelerator Platform”(异构AI加速器平台)项目进行投资,该项目旨在合作研发下一代AI芯片以及神经网络处理器等产品,该技术将用于国芯科技的汽车电子、工业控制和机器人应用领域的AI芯片开发。目前,国芯科技已与香港应科院开展实质性的合作,香港应科院已将NPU相关技术转移至公司,未来双方将进一步开展新一代NPU的研发合作。

在汽车芯片需求方面,国芯科技称,今年汽车电子领域整体面临去库存的压力,汽车电子芯片总体需求相对不足,对公司短期业绩造成一定的压力,但汽车电子芯片国产化替代总的趋势不变,汽车产业向电动化、智能化和网联化的转变愈发强烈,其中新能源车对于芯片的需求会更加旺盛。

国芯科技进一步表示,公司汽车电子芯片已在客户中实现78个定点开发项目的design in,其中开始进入量产的有25个,主要应用领域包括车身和网关控制、动力总成控制、域控制、线控底盘、车联网安全、安全气囊、新能源电池管理等。国芯科技已经在12条汽车电子产品线中布局相关芯片的开发,未来将进一步扩展应用领域,希望能以更为丰富的产品群服务好客户,实现国产化替代。

(校对/黄仁贵)

责编: 黄仁贵
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