三安光电碳化硅新进展:8英寸衬底准量产、车规MOS验证提速

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集微网消息,上海证券报报道,三安光电10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展,实现8英寸衬底准量产,部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。

三安光电介绍,在大尺寸碳化硅衬底方面,湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发,依托精准热场控制的自主PVT工艺,实现了更低成本及更低缺陷密度,产品进入小批量生产及送样阶段,后续公司将继续注重良率提升,加快设备调试与工艺优化,并持续推进湖南与重庆工厂量产进程

碳化硅MOSFET方面,该公司推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品,具有高性能、高一致性和高可靠性等优点。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源,1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC,两款产品均已处于客户端导入阶段,将逐步批量供货;1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

此外,湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体(重庆)有限公司,专门生产8英寸碳化硅晶圆,该项目前期相关审批事项已成功获批,各项工作有序推进,预计2025年完成阶段性建设并投产,2028年实现达产。(校对/赵碧莹)

责编: 赵碧莹
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