美光推出1β DDR5 DRAM:速度7200MT/s,每瓦性能提高33%

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美光公司10月11日宣布推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存,速度可达7200MT/s,首款产品为16Gb LPDDR5X-8500。美光表示,这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片,之后将采用EUV极紫外光刻机。

美光的1β制造工艺采用了该公司第二代高K金属栅极工艺(HKMG),与1α节点相比,16Gb芯片的比特密度提升35%,能效提高15%。新的技术对制造DDR5、LPDDR5X芯片十分有用。

美光利用1β节点生产的首款产品将是16Gb LPDDR5X-8500内存,这款芯片将采用“增强动态电压技术”和“频率扩展内核(eDVFSC)电压控制技术”,达到节省功耗的目的。

美光演示的1β DDR5 DRAM目前已经开始向数据中心和PC用户提供,峰值速度可以达到7200MT/s。这款新型DDR5内存采用先进的high-k高介电CMOS器件技术,相比上一代性能提高50%,每瓦性能提高了33%。

美光的1β技术支持多种基于内存的解决方案组合,包括使用16Gb、24Gb、32Gb DRAM芯片的DDR5 RDIMM、MCRDIMM内存模组;使用16Gb和24Gb DRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E、GDDR7。

美光表示,全新的16Gb LPDDR5X-8500产品已经准备好大规模量产,目前正在向感兴趣的各方提供样品,未来将通过直销和渠道合作伙伴方式销售。

(校对/张杰)

责编: 李梅
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