【落后】传苹果5G基带原型“落后高通最佳芯片三年”；宾夕法尼亚大学突破2D半导体材料硒化铟制备工艺；传英特尔不会使用高数值孔径EUV开发18A工艺

1.速度慢且发热严重，传苹果5G基带原型“落后高通最佳芯片三年”

2.宾夕法尼亚大学突破2D半导体材料硒化铟制备工艺

3.iPhone 15 Pro机型开售，预计苹果手机今年在印度份额将涨至7%

4.传英特尔不会使用高数值孔径EUV开发18A工艺

5.中国台湾地区拟推出晶创计划，以芯片驱动产业创新

6.美国国家科学基金会拟投资4500万美元用于未来半导体研究

1.速度慢且发热严重，传苹果5G基带原型“落后高通最佳芯片三年”

集微网消息，在过去的几年里，苹果公司花费了数十亿美元试图开发自己的基带芯片（调制解调器），以取代其在iPhone中使用的高通基带芯片，但一份新的报告称，苹果对该项目一直受到不切实际目标、对所涉挑战了解不足以及完全无法使用的原型产品的困扰。

苹果雇佣了数千名工程师来设计自己的内部基带芯片。苹果在2019年收购了英特尔智能手机调制解调器的大部分业务，并且从高通挖来了工程师，当时苹果高管设定目标是在2023年秋季推出自研基带芯片。

苹果自研基带芯片项目的代号为“Sinope”，以希腊神话中智胜宙斯的仙女命名。然而，报告称“该项目的许多无线专家很快就意识到实现目标是不可能的”。

熟悉该项目的前公司工程师和高管在接受采访时表示，完成芯片的障碍“主要是苹果自己造成的”。从事该项目的团队“因技术挑战、沟通不畅以及经理们在尝试设计芯片而不是购买芯片的明智性上存在分歧而放慢了速度”。

报告称，苹果原计划将其基带芯片准备在新的iPhone机型中使用。但2022年底测试发现该芯片速度太慢并且容易过热。其电路板如此庞大，以至于会占据半个iPhone的空间，使其无法使用。

团队被孤立在美国及国外的不同小组中，没有全球领导者。一些经理阻止传播有关工程师延误或挫折的坏消息，从而导致不切实际的目标未完成，最后期限延误。

据报道，苹果能够为iPhone和iPad设计自己的微处理器，这使得该公司认为也可以自研制造基带芯片。然而，此类芯片从各种类型的无线网络传输和接收无线数据，并且必须遵守严格的连接标准才能为世界各地无线运营商提供服务，这使得它们成为一项更具挑战性的任务。

前苹果无线主管Jaydeep Ranade表示：“仅仅因为苹果制造了一些手机应用处理器，就认为他们也可以制造基带芯片，这是荒谬的。”他于该项目开始的2018年离开了苹果公司。

据报道，苹果2022年底测试了原型机后，高管们更好地理解了这一挑战。据知情人士透露，测试结果非常糟糕，以至于这些芯片“基本上落后高通最好的基带芯片三年”，并且使用它们可能会使iPhone的无线速度比竞争对手慢。

苹果被迫与高通达成诉讼和解，此后在其最新的iPhone和iPad系列中使用了高通5G基带芯片。据该报告的消息来源称，就目前情况而言，最快到2025年苹果基带芯片才能达到先进技术标准，可以逐步淘汰高通。

“这些延误表明苹果公司没有预料到这项工作的复杂性。”长期担任高通高管的Serge Willenegger在接受采访时表示，“蜂窝网络没那么简单。”

苹果近期将从高通获取5G基带芯片的协议再延长三年，凸显了苹果遭遇挫折的严重性。

2.宾夕法尼亚大学突破2D半导体材料硒化铟制备工艺

集微网消息，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员已实现硅晶圆上高性能二维半导体生长，新型2D材料硒化铟（InSe）可以在足够低的温度下沉积以与硅芯片集成。

报道称，诸多候选2D半导体材料需要如此高的温度才能沉积，从而破坏了底层的硅芯片。其他的可以在与硅兼容的温度下沉积，但它们的电子特性——能耗、速度、精度——缺乏。有些符合温度和性能要求，但无法生长到行业标准尺寸所需的纯度。

宾夕法尼亚大学电气与系统工程系副教授Deep Jariwala和博士后研究员Seunguk Song领导了新的研究，InSe长期以来一直显示出作为先进计算芯片的二维材料的前景，因为它携带的电荷非常好。但事实证明，生产足够大的InSe薄膜很棘手，因为铟和硒的化学性质往往以几种不同的分子比例结合，呈现出每种元素比例不同的化学结构，从而损害其纯度。

该团队使用一种称为“垂直金属有机化学气相沉积”（MOCVD）的生长技术实现了突破性的纯度。之前的研究曾尝试同时引入等量的铟和硒。然而，这种方法是材料中不良化学结构的根源，产生的分子中每种元素的比例不同。相比之下，MOCVD的工作原理是连续输送铟，同时以脉冲形式引入硒。

除了化学纯度之外，该团队还能够控制和排列材料中晶体的方向，通过提供无缝的电子传输环境进一步提高半导体的质量。

3.iPhone 15 Pro机型开售，预计苹果手机今年在印度份额将涨至7%

集微网消息，苹果预计将在印度智能手机销量中获得更大份额，其中高端iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max机型的出货量将占更多份额。

根据市场研究机构Counterpoint分享的数据，预计7月至12月苹果iPhone将占该国智能手机销量的7%，高于2023年上半年的5%。

在其旗舰设备销量下降的情况下，苹果一直将印度视为其下一个主要增长动力。在中国需求疲软和监管压力的情况下，其供应商也一直在加大在印度地区的制造业务。

苹果最新上市的iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max机型在印度的发货时间一直延迟到10月底，这与中国和美国的趋势类似。

Counterpoint预计，第四季度这些Pro机型将占印度iPhone 15系列总出货量的25%，比上一代高端机型同比增长4%。

IDC研究总监Nabila Popal表示：“印度高端智能手机占整体智能手机的市场份额已从2019年的0.8%大幅攀升至2023上半年的6.1%，这在很大程度上要归功于苹果的成功。”

IDC数据显示，苹果是印度800美元以上智能手机市场的最大参与者，2023上半年占据67%的份额。三星占该细分市场的31%。

苹果今年早些时候在印度开设了两家旗舰店，CEO库克在今年8月表示，该公司6月季度在印度的收入创下了“纪录”。

然而，苹果在印度想要实现与其主要市场相当的销售量还有很长的路要走。摩根士丹利在本月早些时候的一份报告中估计，苹果在印度的收入约为中国的一半。

4.传英特尔不会使用高数值孔径EUV开发18A工艺

集微网消息，在英特尔创新日上，该公司人士透露英特尔不会使用高数值孔径EUV光刻机来制造18A节点芯片。

计划的改变不应令人意外。原定于2025年进行的Intel 18A量产被拉至2024年下半年，而ASML的高数值孔径路线图仍显示，量产级高数值孔径型号的出货将不早于2025年。英特尔别无选择，只能坚持使用0.33-NA的EUV工具进行18A制造。不过，处理器公司和未来的代工厂将使用18A节点来验证高数值孔径技术。

ASML最近确认将在今年晚些时候发货第一款高数值孔径工具。英特尔据称将是这台预生产机器的接收者。

5.中国台湾地区拟推出晶创计划，以芯片驱动产业创新

集微网消息，中国台湾地区“国科会”主委吴政忠日前表示，预计明年启动晶创计划，通过芯片驱动台湾产业创新，该计划为期5年，其中科技预算在第一年核定为新台币120亿元。

吴政忠表示，芯片驱动产业创新在未来10年全世界各国家/地区应都会来做，因为芯片与生成式人工智慧加起来，会驱动下一波食、医、衣、住、行、育、乐的全产业发展，中国台湾地区要在这潮流中扮演世界要角。

该计划包含4大方向，第一，鼓励公司或学研机构利用芯片与生成式AI技术，发展各行各业的创新解决方案；第二，透过升级半导体设备与教材，让中国台湾成为全世界最好的芯片人才培育环境。第三，协助产学研加速发展异质整合与先进制程技术；第四，因应未来对创新与资金的高度需求，邀请全世界的新创团队与投资机构来台发展。

吴政忠进一步谈及半导体人才培训海外基地，他说，德、法等欧洲国家希望与中国台湾地区开展半导体相关合作，但「台积电去（海外建厂），没有100亿美元以上是不太可能」，因此对中小型国家/地区而言较有难度，而IC设计就会有机会。

吴政忠表示，一些初阶的培训部分可以到其他国家/地区设基地，偏向中高阶的则要与台积电、力积电等制造公司合作。

基础建设方面，吴政忠指出，半导体中心、工研院、半导体学院的设备必须要能跟上业界脚步，才能训练人才。吴政忠表示，希望晶创计划可以吸引更多国际优秀人才，让中国台湾地区成为国际创投基金投资的重点。

6.美国国家科学基金会拟投资4500万美元用于未来半导体研究

集微网消息，美国国家科学基金会（NSF）日前宣布了24个研究和教育项目，总投资达4560万美元，其中包括来自“2022年芯片和科学法案”的资金，以促进新半导体技术和制造以及劳动力发展的快速进展。

这些项目得到了NSF半导体未来 (FuSe) 计划的支持，该计划通过NSF和四家公司（爱立信、IBM、英特尔和三星）的公私合作伙伴关系提供支持。

IBM院士兼AI战略家Vijay Narayanan表示：“面对不断增长的计算需求，需要在材料、设备、异构集成、先进封装和计算架构方面进行半导体创新，以实现节能且可持续的全栈计算解决方案。IBM很自豪能够支持FuSe计划的最新投资，以加速半导体创新，为下一代创新者提供支持。”

NSF主任Sethuraman Panchanathan表示：“我们的投资将有助于培训下一代人才，以填补半导体行业的关键空缺，并自下而上地发展我们的经济。通过支持新颖的跨学科研究，我们将实现半导体和微电子领域的突破，并满足国家对可靠、安全的创新半导体技术、系统和专业人员供应的需求。”