国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产

集微网消息，9月6日，国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京江宁开发区举行。会上，国家第三代半导体技术创新中心（南京）宣布一期项目竣工投产。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）负责人介绍，一期项目依托55所原有11#厂房区域，打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台。在这里，国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。

随着一期项目投运，二期项目计划于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。工厂将设计8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台，实现孵化、成果转化、学术交流、公共服务等功能。

2021年3月，国家科技部、财政部批复，按照“1总部+6中心”即“中电科集团+北京、南京、苏州、深圳、长沙、太原”的模式建设“国家第三代半导体技术创新中心”。3个月后，国家第三代半导体技术创新中心（南京）揭牌。该中心由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司、南京江宁经济技术开发区管理委员会、中国电子科技集团公司第五十五研究所合作共建，目标聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。（校对/赵碧莹）