9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工。
湖北工信消息显示，长飞先进半导体项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。
8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。
安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。（校对/赵碧莹）
