长鑫存储“半导体结构及其形成方法和存储器”专利获授权

作者: 刘沁宇 05-22 18:41
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集微网消息,天眼查显示,长鑫存储技术有限公司“半导体结构及其形成方法和存储器”专利获授权,授权公告日为5月19日,授权公告号为CN113675146B。

图片来源:天眼查

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体结构及其形成方法和存储器,该半导体结构的形成方法包括:提供衬底,衬底内具有多条字线结构和有源区,衬底上具有位线连接柱,位线连接柱位于字线结构间隔区域的上方;位线结构通过位线连接柱与有源区连接;在衬底上形成第一牺牲层,第一牺牲层包括碳层;在第一牺牲层上形成第一沟槽,第一沟槽垂直于位线结构,第一沟槽暴露衬底;形成第一介质层,第一介质层填充第一沟槽及覆盖第一牺牲层的顶面;平坦化第一介质层,暴露第一牺牲层的顶面;去除第一牺牲层,在相邻第一介质层之间形成暴露衬底的第三沟槽;形成电容接触金属层,电容接触金属层填充第三沟槽及覆盖第一介质层的顶面,电容接触金属层的底部与有源区完全连接。(校对/韩秀荣)

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责编: 韩秀荣
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