昂瑞微“用于射频功率放大器的半导体器件”专利公布

集微网消息，天眼查显示，北京昂瑞微电子技术股份有限公司“用于射频功率放大器的半导体器件”专利公布，申请公布日为5月16日，申请公布号为CN116130516A。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本发明提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成，其中，所述宽带隙材料的禁带宽度大于GaAs的禁带宽度；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上，其中，所述集电极层被配置为使得集电极层处的最大电流和电压摆幅处于所述半导体器件的安全工作区以内，其中，所述半导体器件的安全工作区被限定为当半导体器件处于正向有源区时的安全工作区域。（校对/刘沁宇）