中芯国际“半导体结构及其形成方法”获专利授权

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集微网消息,天眼查显示,中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利获授权,授权公告日为5月16日,授权公告号为CN110581174B。该专利的专利权人包括中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。

图片来源:天眼查

专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及位于衬底上的鳍部,基底包括相邻接的第一区域和第二区域,鳍部沿延伸方向横跨第一区域和第二区域,第一区域基底内形成有阱区,第二区域基底内形成有漂移区;形成覆盖鳍部顶部表面和侧壁表面的栅氧化层;在第一区域和第二区域交界处的栅氧化层上形成栅极层,栅极层横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和部分侧壁的栅氧化层;在栅极层一侧的阱区内形成源区,在栅极层另一侧的漂移区内形成漏区;形成源区和漏区后,依次刻蚀位于漏区一侧部分第二区域的栅极层、栅氧化层以及漂移区部分厚度基底,在漂移区内形成隔离槽;在隔离槽内形成隔离层。

据悉,本发明有利于提升LDMOS的耐压性能。(校对/刘沁宇)

责编: 赵碧莹
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