长江存储“存储器的制作方法及存储器”专利获授权

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集微网消息,国家知识产权局消息显示,长江存储科技有限责任公司“存储器的制作方法及存储器”专利获授权,授权公告日为5月9日,授权公告号为CN111162002B。

图片来源:国知局

专利摘要显示,本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器,所述存储器的制作方法包括:在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层;其中,所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面,所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面,所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表面的相反表面;在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上,形成具有第一悬挂键的第一阻挡层;在预设温度下对所述钝化层进行热处理;其中,所述钝化层中的氢粒子释放至所述第一阻挡层并与所述第一悬挂键结合形成第一共价键。(校对/刘沁宇)

责编: 赵碧莹
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