集微网消息，欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。

英飞凌的目标是研发比传统硅基功率芯片具有更高容量和效率的先进材料。

该公司功率和传感器系统总裁怀特（Adam White）告诉日经亚洲，英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。

“我们的目标是成为电源系统的芯片行业领导者，”怀特说。“我们看到氮化镓的临界点正在实时发生。”

该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。

据White称，英飞凌最近披露了一项8.3亿美元的收购渥太华芯片设计公司GaN Systems的交易，以扩大其产品组合并“加强其在电源系统领域的领导地位”。

White告诉日经亚洲，这笔交易有待监管部门批准，这将使其专门从事氮化镓芯片的研发团队人数增加近一倍，达到450多人，并将其全球客户数量增加到2000家。

基于氮化镓构建的电源芯片更加节能，与基于普通硅晶圆构建的芯片相比，同样的容量可以压缩到更小的空间中，这意味着充电器和适配器也可以做得更小。

例如，当前的iPhone14适配器的输出功率为20瓦，但使用氮化镓材料，在类似尺寸的情况下可以增加到120瓦左右。据行业高管和分析师称，对于用户而言，这意味着能够在不到10分钟的时间内为智能手机充满电。

氮化镓和碳化硅都被称为宽带隙半导体。与更常见的硅基芯片相比，宽带隙芯片可以处理更高的电压，并且在更高的温度下更耐用。两者中，碳化硅被认为更适合用于大功率电动汽车充电器和储能系统的功率芯片。

除了收购GaN Systems，英飞凌还斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。

GaN Systems与全球最大的代工芯片制造商台积电密切合作，怀特说，即使在英飞凌完成对这家加拿大公司的收购后，这种计划仍将继续。

他说，传统的硅基电源芯片仍然很重要，并指出英飞凌决定投资50亿欧元以提高德国德累斯顿此类芯片的产量。不过，他补充说，与宽带隙半导体相比，这一领域的增长预计会更慢。

CounterpointResearch的半导体分析师Brady Wang表示，毫无疑问，出于对更好的电源解决方案的需求，宽带隙半导体将成为市场的主要增长动力。