英诺赛科发布两款 40V VGaN 新品，均采用WLCSP封装

在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳定性与大功率充电持续时间。

氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频高效、低导阻等优越特性，应用于手机主板也具备极大优势。

2022年，英诺赛科开创了氮化镓 40V 器件平台，并率先将双向导通 VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）产品成功导入Oppo、Realme 手机主板内部，实现体积减少64%，峰值功率发热降低85%等优越性能表现，获得了良好的市场反馈。基于40V 平台的迭代与升级，近期，英诺赛科 VGaN 家族迎来了两名新成员：INN040W080A、INN040W120A。

INN040W080A

产品特性：

• 支持双向导通，无反向恢复

• 40V/8mΩ 超低导通电阻

• 1.7mmx1.7mm WLCSP封装，寄生参数小

应用领域：

• 高侧负载开关

• 智能手机USB端口中的OVP保护

• 多电源系统中的开关电路

INN040W120A

产品特性：

• 支持双向导通，无反向恢复

• 40V/12mΩ 超低导通电阻

• 1.7mmx1.7mm WLCSP封装，寄生参数小

应用领域：

• 高侧负载开关

• 智能手机USB端口中的OVP保护

• 多电源系统中的开关电路

INN040W080A、INN040W120A延续了 InnoGaN 导通电阻低、封装寄生参数小、开关速度快、无反向恢复等诸多特性，在高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等场景中，能更好地体现低阻抗、高效率与高功率密度三大优势。 

VGaN 三大亮点 

仅使用1颗VGaN 就能替代传统共漏连接的背靠背NMOS，实现更低导通损耗的手机电池充、放电功能，并节省手机内部宝贵的空间；

降低手机在充电过程中的温升，在快速充电时可以保持比较舒适的机身温度，延长电池使用时间，为用户提供良好的充电体验；

使氮化镓在更高功率的快充场景中具备竞争力，实现手机内部GaN芯片“零” 的突破。

英诺赛科VGaN 系列新增的两款40V双向导通芯片，以其不同的导通电阻，拓展了更广的功率场景，不仅为客户设计选型提供更多参考，还进一步扩大了氮化镓在消费电子领域的应用。而基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和成本优势也已在行业中得到体现。