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SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T,今年下半年量产

来源:爱集微

#SK海力士#

12天前

集微网消息,SK海力士1月25日宣布,公司成功开发出当前速度最快的移动DRAM(内存)“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”,并已向客户提供了样品。

继SK海力士在去年11月推出的移动DRAM LPDDR5X*,将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快13%,运行速度高达9.6Gbps(Gb/s)。公司为了强调其超高速度特性,命名时在规格名称“LPDDR5”上加以“Turbo(涡轮增压)”作为了后缀。

* LPDDR(低功耗双倍数据速率):是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格,因以耗电量最小化为目的,具有低电压运行特征。规格名称附有“LP(Low Power,低功耗)”,最新规格为第七代LPDDR(5X),按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业界首次开发的产品,是第八代LPDDR6正式问世之前,将第七代LPDDR(5X)性能进一步升级的产品。

同时,LPDDR5T在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压1.01~1.12V(伏特)下运行。公司强调本次产品兼具了高速度和低功耗的特性。

SK海力士表示:“公司推出每秒8.5Gb速度的LPDDR5X后,仅隔两个月再次突破了技术局限。今后将供应客户所需求的多种容量产品,进一步巩固移动DRAM市场的主导权。”

公司近期向客户提供了将LPDDR5T芯片组合为16GB(千兆)容量的封装样品。该样品的数据处理速度可达每秒77GB,相当于每秒处理15部全高清(Full-HD)电影。

SK海力士计划采用第4代10纳米级(1a)精细工艺,将于今年下半年推进本次产品的量产。

另外,SK海力士在本次产品中也采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工艺。公司表示:“本次产品通过采用HKMG工艺技术实现了最佳性能表现。坚信在下一代LPDDR6问世之前,大幅拉开技术差距的LPDDR5T将主导该市场。”

* HKMG(High-K Metal Gate):在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降低功耗。SK海力士去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。

IT行业预测,今后在智能手机5G时代,能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存储器需求将会增长。在这种趋势下,SK海力士期待LPDDR5T的应用范围不仅限于智能手机,还将扩展到人工智能(AI)、机器学习(Machine Learning)、增强/虚拟现实(AR/VR)。

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示:“公司通过本次新产品的开发,提前满足了客户对高速度产品的需求。今后也将致力于开发引领新一代半导体市场的超前技术,成为IT领域的游戏规则改变者。”

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