集微网消息，1月11日，南京大学王欣然教授、施毅教授带领国际合作团队在《Nature》上发表研究成果。
该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。
南京大学消息称，这是该校2023年首篇《Nature》。该工作由南京大学、东南大学、南京工业大学、湖南大学和美国斯坦福大学共同完成。该研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、江苏省前沿引领技术基础研究专项等资助，及南京大学微制造与集成工艺中心的支持。（校对/姜羽桐）
