英诺赛科荣获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖

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1月5日,以“开放创芯 协同共赢”为主题的2022琴珠澳集成电路产业促进峰会暨第十七届“中国芯”颁奖仪式在横琴凯悦酒店举行,并颁发了第十七届“中国芯”优秀产品及企业奖项,来自珠海高新区的6家企业荣获7项大奖,充分展现了高新区集成电路产业发展的最新技术和应用成果。

英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业,拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地,已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯片。凭借卓越的产品性能及市场表现,英诺赛科INN040W048A功率芯片被评为第十七届“中国芯”优秀技术创新产品。

为高效系统而生

英诺赛科INN040W048A是一颗耐压40V,导阻4.8mΩ的增强型双向导通氮化镓功率器件,采用WLCSP 封装,尺寸仅2.1mmx2.1mm,十分小巧。利用一颗INN040W048A就能替换两颗Si MOS,在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等应用场景中节省系统空间,降低系统能耗。

INN040W048A 双向导通氮化镓芯片

为终端应用护航

在市场应用上,INN040W048A是全球首款导入手机内部的GaN芯片,目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的电池管理系统,大大节省了手机内部空间,降低发热峰值,实现了体积降低64%,峰值功率发热降低85%,保证手机在充电过程中更高效,更安全。

双向导通氮化镓平台是英诺赛科在行业中的首创,基于此平台的多款产品也将在2023年不断更新迭代,为极致高效的终端应用护航。

责编: 爱集微
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