捷捷微电：南通“高端功率半导体器件产业化项目”一期进度符合预期

集微网消息（文/杨艳柔）1月6日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”一期进度符合预期，主要是针对产能及良率来设定预期，公司生产的产品良率也在预期内，保持在95%以上。

此前，捷捷微电称，目前公司推出的车规级SGT MOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，客户和市场的开拓及导入情况良好；另外，部分MOSFET产品也可应用于光伏逆变器及BMS电源管理领域。未来公司将重点拓展三大市场：汽车电子、电源类及工业类，努力提高这几个领域的产品占比。

在第三代半导体产品研发方面，捷捷微电与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，捷捷微电拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件，此外，捷捷微电还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

据了解，捷捷微电可转债项目——功率半导体“车规级”封测产业化项目已开工，正在进行厂房等基础设施和配套的建设，建设期在2年左右。该项目总投资为133395.95万元，拟投入募集资金119500万元，主要从事车规级大功率器件的研发、生产及销售，建设完成后可达年产1900kk车规级大功率器件DFN系列产品、120kk车规级大功率器件TOLL系列产品、90kk车规级大功率器件LFPACK系列产品以及60kkWCSP电源器件产品的生产能力。项目达产后预计形成20亿的销售规模。

（校对/黄仁贵）