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国星光电:自研Micro LED巨量转移技术处于小批验证阶段

来源:爱集微

#国星光电#

11-05 19:02

集微网消息,近日,国星光电在投资者互动平台表示,公司自主研发Micro LED巨量转移技术,现处于小批验证阶段,目前转移速率和良率稳步提升。

据介绍,MiniLED方面,国星光电已具备量产能力,其中IMD-M07实现规模量产,IMD-M09标准版凭借高性价比广受客户好评,在标准版基础上继续进攻高端市场,完成IMD-M09旗舰版大批量试产,色彩方面满足影院级色域要求,可提供更优质的视觉效果;Micro LED方面,首次开发出新型封装架构的MIP器件,制备出MIP显示模组,验证了Micro LED在>100寸超高清显示领域产业化可能性,最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ,像素间距300微米(P0.3),实现了8bit(256灰阶)色深的显示效果,同时在巨量转移及巨量键合上获得突破,其综合良率达99.99% ,未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。

在玻璃基Micro LED技术路线方面,国星光电将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表;在硅基Micro LED技术路线方面,重点布局AR显示领域。

目前,国星光电与华为在Mini&Micro LED、LED背光及显示模组、直显RGB器件、车载HUD、智能健康照明、光耦及功率器件、非视觉光源等方面开展深度创新合作,拓展未来业务覆盖。此外,国星光电积极拓宽第三代半导体领域赛道,致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务,目前国星光电推出及研发的三代半产品可应用于新能源汽车充电桩,UPS电源等工业应用领域与手机快充等消费领域。

(校对/占旭亮)

责编: 邓文标

黄仁贵

作者

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邮箱:huangrg@lunion.com.cn

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