近日，国星光电在投资者互动平台表示，公司自主研发Micro LED巨量转移技术，现处于小批验证阶段，目前转移速率和良率稳步提升。
据介绍，MiniLED方面，国星光电已具备量产能力，其中IMD-M07实现规模量产，IMD-M09标准版凭借高性价比广受客户好评，在标准版基础上继续进攻高端市场，完成IMD-M09旗舰版大批量试产，色彩方面满足影院级色域要求，可提供更优质的视觉效果；Micro LED方面，首次开发出新型封装架构的MIP器件，制备出MIP显示模组，验证了Micro LED在＞100寸超高清显示领域产业化可能性，最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ，像素间距300微米（P0.3），实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果，同时在巨量转移及巨量键合上获得突破，其综合良率达99.99% ，未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。
在玻璃基Micro LED技术路线方面，国星光电将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表；在硅基Micro LED技术路线方面，重点布局AR显示领域。
目前，国星光电与华为在Mini&Micro LED、LED背光及显示模组、直显RGB器件、车载HUD、智能健康照明、光耦及功率器件、非视觉光源等方面开展深度创新合作，拓展未来业务覆盖。此外，国星光电积极拓宽第三代半导体领域赛道，致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务，目前国星光电推出及研发的三代半产品可应用于新能源汽车充电桩，UPS电源等工业应用领域与手机快充等消费领域。
（校对/占旭亮）
