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美扩大芯片出口设限 研调:波及中国设厂韩、台企业

来源:经济日报

#IC#

2022-10-09

美国总统拜登宣布扩大对中国芯片及设备出口限制,研调机构集邦科技今天指出,晶圆代工厂恐无法再为中系IC设计公司,制造任何美方提及的高效能运算(HPC)相关领域芯片,将压缩中国厂商的发展,并波及在中国的韩、台厂。

对此,晶圆代工龙头台积电表示,现阶段属于法人说明会前缄默期,无法评论。

拜登7日宣布,限制美国对中国出口芯片技术新规定,使用于人工智能(AI)、超级计算机运算的芯片出口均须通过审查,向中企出口半导体设备也同样设限。

研调机构集邦科技调研运营中心营运长张小彪接受电访表示,中国半导体制程多集中在28纳米(nm)以上的成熟制程;但美国发布的新禁令,将原本仅针对先进制程技术及设备逐案审查的规定,延伸到成熟制程,再加上限制从芯片扩大到存储器,将压缩中国厂商的发展,并波及在中国的韩、台厂。

张小彪指出,中国的存储厂商,韩厂三星、SK海力士在中国的工厂,都受到波及。

集邦科技傍晚发布新闻稿指出,美商务部再度对中祭出限令,限制范围由逻辑IC扩大至存储器领域,除中资企业外,外资位于中国境内的生产基地亦需透过逐案申请许可方式,方能持续取得制造相关设备。

集邦认为,无论中系或美系IC公司,目前高效能运算(HPC)相关芯片多半委由台积电进行制造,制程主流为7纳米(nm)、5nm或部分12nm; 未来不论是美系厂无法再出口至中国市场,或是中系厂无法进行开案、量产投片,均为台积电7nm、5nm制程的未来订单状况带来负面影响。

另外,针对任何可能使用于军事用途的芯片,中国也难以透过进口方式持续取得。

集邦调查,此次美国更新的限制范畴主要在逻辑IC,例如鳍式场效电体(FinFET)或环绕式闸极结构晶体管(GAAFET)的16/14nm或更先进制程、动态随机存取存储器(DRAM)的18nm或更先进制程、NAND闪存(Flash)芯片的128层或更高层数产品等3个部分。

根据集邦调查,由于美商务部对美系设备商欲出口16nm以下设备给未被列入实体清单的中系晶圆厂、甚至是外资位于中国大陆的生产基地,皆须经过审核方能执行,因此目前中系晶圆厂皆多半以28nm以上的制程发展为扩产(厂)主轴。

集邦表示,中系以外的晶圆代工厂仅有台积电南京厂以28nm扩产为主,未有先进制程规划。

集邦指出,尽管中系晶圆厂积极与中国本土、欧系及日系设备商合作,企图发展非美系产线,并已转以发展28nm以上的制程为主,但该禁令形同完全扼杀中国发展14/16nm及以下先进制程扩产及发展的可能性,且28nm及以上的制程扩产,亦需经过旷日废时的审查流程。

责编: 爱集微

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