SK海力士拟年内试产238层NAND闪存

集微网消息，SK海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露，计划在年内完成238层NAND试产，并在2023年上半年实现量产。

针对美光近期量产232层NAND的动态，海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同，存储市场目前应专注于提高盈利能力，海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。

公司方面还表示，计划今年年底实现主力产品176层4D NAND以晶圆形式出货占比70%，以进一步提升毛利率。

针对DRAM市场行情，海力士方面表示，尽管目前DRAM的平均售价（ASP）走低，但成本下降足以弥补ASP变化，公司方面预计今年DRAM出货量将增加约10%，NAND闪存出货量增加20%。

（校对/杨开彦）