华微电子：正在推动流子存储IGBT产品技术，可替代英飞凌最新一代技术

集微网消息（文/林雪莹）7月22日，华微电子在投资者互动平台表示，公司正在推动流子存储IGBT产品技术，可以替代英飞凌最新一代技术。而在第三代半导体SiC和GaN进展方面指出，公司在积极布局第三代半导体，目前已完成650V-1200V、5A-40A SiC SBD产品开发，在快充、光伏、大功率电源领域开始示范性应用；同时推出65W快充用650V GaN器件，产品效率与国际水平相当。

华微电子进一步表示，公司多年深耕功率半导体领域，产品覆盖功率半导体器件的全部范围，形成了丰富的产品系列。公司IGBT主要应用在光伏逆变、智慧家居、工业控制、新能源汽车等领域。公司IGBT产品在光伏、新能源汽车等多个战略性新兴领域实现了拓展，实现IGBT产品的批量销售。未来随着光伏、新能源汽车持续高景气，公司IGBT产品有望持续增长。

据悉，华微电子是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。公司拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年400万片，封装资源每年24亿支，模块每年1500万块。

目前，华微电子已形成以IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT、多芯片模块等新型功率半导体器件为营销主线的系列产品，覆盖了功率半导体器件的全部范围，广泛应用于新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等战略性新兴领域。

新能源汽车领域，华微电子已经深耕多年，目前实现了OBC、汽车空调、车载逆变、车载DC-DC变换器等多个模组的功率器件配套，产品涵盖IGBT、FRD、高低压MOS等。

（校对/黄仁贵）