中科院微电子所在动态随机存储器领域取得重要进展

集微网消息，随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM的存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。

基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，但目前研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使得IGZO-DRAM缺少密度优势。

关键尺寸（CD）50nm的IGZO-CAA FET的截面电镜图

图源：中科院微电子研究所

针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，微电子所重点实验室刘明院士团队与华为海思团队联合在2021年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构IGZO FET的基础上，再次成功将器件的关键尺寸（CD）微缩至50nm。微缩后的IGZO FET具有优秀的晶体管特性。同时，器件在-40℃到120℃的温度范围内表现出了良好的热稳定性和可靠性。

该研究成果有助于推动IGZO晶体管在高密度3D DRAM领域的应用。基于该成果的文章入选2022 VLSI，且获选Highlight文章。（校对/Vinson）