中芯国际公开“半导体结构及其形成方法”等多项专利

作者：黄仁贵 2022-07-15

来源：爱集微 #中芯国际#

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集微网消息，天眼查显示，中芯国际近日公开了“半导体结构的形成方法”“半导体结构及其形成方法”等多项专利。

发明人为王文博的“半导体结构及其形成方法”的专利中，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构，所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底中分别形成有第一阱区和第二阱区；分别在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成预先掺杂的第一栅极层和第二栅极层。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用原位掺杂工艺来形成预先掺杂的栅极层，可以避免栅极层被大量粒子注入导致多晶穿透效应，杂质粒子进入沟道而影响器件性能。

发明人为金吉松的“半导体结构及其形成方法”的专利，描述的半导体结构包括：晶圆，包括衬底和位于衬底内的掩埋电源轨；通孔，位于晶圆背面的衬底中且暴露出掩埋电源轨；电容结构，位于通孔内，包括位于通孔的底部和侧壁上的第一电极、与第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的电容介质层，第一电极与掩埋电源轨相接触；第一电源线，位于晶圆的背面上且与第一电极电连接；第二电源线，位于晶圆的背面上且与第二电极电连接。电容结构位于通孔内，能够增大单位面积上的电容密度和电容值，有利于提高电容结构对供电电源的滤波效果，且第一电极与掩埋电源轨相接触，通过第一电极使第一电源线能够对掩埋电源轨进行供电，相应与背面配电工艺兼容。

而由师兰芳、甘露、郑春生、张文广、吴威威共同发明的“半导体结构的形成方法”，包括：提供待处理的基底结构，所述待处理的基底结构包括基底层以及凸出于所述基底层的图形结构，所述基底结构的表面具有吸附基团；采用反应气体对所述基底结构的表面进行等离子体处理，所述反应气体与所述吸附基团发生化学反应，用于使所述基底结构表面的前驱体吸附形核点数量趋于相同；在所述等离子体处理之后，利用原子层沉积工艺，形成保形覆盖所述基底结构表面的目标层。通过对基底结构的表面进行等离子体处理，使得图形结构的顶面和侧壁、以及基底层表面的前驱体吸附形核数量相同，从而实现对基底结构表面的改性，提高了目标层的厚度均一性，进而提高了半导体的性能。