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韩研究所:韩国NAND技术领先中国2年 ,DRAM领先5年

来源:爱集微

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05-31 18:31

图源:BusinessKorea

集微网消息,根据韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM 5年,NAND 2年。

据BusinessKorea报道,该研究院透露,中国DRAM制造企业长鑫存储今年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半,两国之间的技术差距超过5年。

特别是,三星电子等韩国企业已经引进或计划引进用于超微加工的EUV设备,而由于美国的制裁,中国企业很难引进。因此,很多专家认为,中国想要缩小与韩国的技术差距并不容易。

中国芯片制造商的收益率也很低。OERI分析说,从2019年开始批量生产第一代10nm(1x或18-19nm)DRAM的长鑫存储,在2年时间过去后,其产量仍停留在75%的水平。据悉,在第二代DRAM上的收益率也仅在40%左右。有分析认为,到去年年末长鑫存储还不到1%的DRAM市场占有率不会大幅回升。

OERI首席研究员Lee Mi-hye表示:“DRAM企业的技术实力和规模经济很重要,但中国与主要国家的技术差距很大,加上美国的制裁,很难扩大市场份额。”“DRAM领域不会像显示器产业的力量转移那样发生快速变化。”

据推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存储于2021年8月开始批量生产第6代(128层)3D NAND闪存。三星电子等韩国厂商则从2019年开始批量生产,并计划从今年年末到明年年初,批量生产200层以上的NAND闪存,而长江存储预计要到2024年才能实现。

不过,苹果公司目前正在考虑在iPhone上安装长江存储的NAND闪存,这也是一个变数。在这种情况下,长江存储将扩大投资,积极追赶韩国半导体企业。特别是NAND闪存领域与DRAM产业不同,是成长中的产业,因此变数较多。专家指出,如果5、6家NAND闪存企业迅速扩大生产能力,就会出现价格竞争,NAND闪存市场占有率排名也会发生变化。

Lee Mi-hye表示:“虽然中国企业很难确保收益性,但如果得到中国政府的持续支持,从长远来看,将会对韩国企业构成威胁。”“美国政客们对中国制造的芯片发出了反对的声音。如果美国加大对中国产芯片的制裁力度,韩国和中国的技术差距有可能维持下去。”(校对/隐德莱希)

责编: 武守哲

思坦

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半导体产业观察者,微信:619721947

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