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三星攻克3nm良率“难关”

来源:爱集微

#三星#

#3nm#

05-14 22:11

最近一段时间,三星的新工艺负面新闻不断。之前有消息称由于良率以及散热问题,导致大客户英伟达和高通转单。

不过据快科技报道,在最近三星管理层向董事会的报告中,表明其3nm工艺已经量产,最关键的良率也在改善中。

从具体数字来看,三星提及,与7nm制造工艺相比,其3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,从纸面参数上来说要优于台积电3nm FinFET工艺。

三星还表示,5nm工艺已经进入成熟阶段,还在扩大服务,4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟,但已经进入了预定的良率曲线,未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。

在近日举办的第一季度财报电话会议中,三星半导体代工事业部副总裁表示,预计第二季度半导体代工市场仍将延续供不应求的局面,三星将继续提高先进制程良品率率,积极响应大客户需求,努力扩大供应和增加全球客户订单。此外,公司计划在第二季度完成第一代GAA工艺质量验证并在行业内首次实现量产,以确保技术领先于竞争对手。

(校对/七七)

责编: Lau

艾檬

作者

微信:ilovekm2008

邮箱:liying@lunion.com.cn

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