集微网消息,据外媒报道,法国厂商Soitec日前发布了其8英寸碳化硅衬底产品,基于该公司SmartSiC专利技术的8英寸晶片出自其与老牌研究机构CEA-Leti合作设立的“衬底创新中心”试验产线。
报道称,Soitec已于今年3月启动新晶圆厂建设计划,将用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圆制造,预计2023年下半年建成投产。(校对/乐川)
集微网消息,据外媒报道,法国厂商Soitec日前发布了其8英寸碳化硅衬底产品,基于该公司SmartSiC专利技术的8英寸晶片出自其与老牌研究机构CEA-Leti合作设立的“衬底创新中心”试验产线。
报道称,Soitec已于今年3月启动新晶圆厂建设计划,将用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圆制造,预计2023年下半年建成投产。(校对/乐川)
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