• 收藏

  • 点赞

  • 评论

  • 微信扫一扫分享

弯道超车?三星3nm制程有可能先于台积电投产

来源:爱集微

#英特尔#

#三星#

#台积电#

05-02 14:18

集微网消息,据台媒《经济日报》5月2日转引外媒披露,三星在对投资人释出的最新简报中透露,旗下3nm制程将在未来几周内开始投产,进度比台积电更快,力图弯道超车,正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。

图源:美联社

台积电向来不对竞争对手置评。台积电先前于法说会上指出,采用FinFET架构的3nm依原规画在下半年量产,将是“下个大成长节点”。

业界人士分析,三星虽然宣称3nm迈入量产倒数计时,但从晶体管密度、效能等层面分析,三星的3nm与应与台积电5nm家族的4nm,以及英特尔的Intel 4制程相当。

据台媒《经济日报》分析,三星以“3nm”为最新制程进度命名,表面上赢了面子,但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电,“实际上还是输了里子”。

TechSpot等外媒报导,三星向投资人简报表示,正全力准备让GAA架构的3nm制程在今年上半年进入投产阶段,也就是在未来八周内启动量产程序,意味3nm量产倒数计时。

三星表示,相较于目前旗下7nm FinFET架构制程,新的3nm制程所生产的芯片,可以在0.75伏特以下的低电压环境工作,使整体耗电量降低50%,效能提升30%,芯片体积减少45%。

分析师指出,三星的3nm制程所能达到的晶体管密度,最终可能与英特尔的制程4或者台积电的nm米家族当中的4nm相当,但是频宽与漏电控制表现会更好,带来更优异的效能。

但目前无法得知的最大变量,是三星的3nm制程良率能有多好。三星先前全力发展的4nm制程就因良率太低,导致主要客户大幅转单台积电。业界传出,目前三星3nm良率仅约10%出头,但未获三星证实。

另一方面,三星也未透露采用其3nm制程的客户。相较之下,台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露,旗下3nm应用有诸多客户参与,预计首年相较5nm与7nm,会有更多新的产品设计定案。

业界认为,苹果、AMD、英伟达、高通、英特尔、联发科等大厂,都会是台积电3nm量产初期的主要客户,应用范围涵盖高速运算、智慧手机等领域。台积电强调,3nm今年下半年量产之后,在PPA(效能、功耗及面积)及晶体管技术都将领先,且有良好的良率,有信心3nm会持续赢得客户信赖。

另外,台积电也已着手进行更先进的2nm布局,预期2024年风险试产,目标2025年量产,看好2nm将是业界最领先,且是支持客户成长最适合的技术。

(校对/七七)

责编: Aki

隐德来希

作者

微信:entelecheiapw

邮箱:wusz@lunion.com.cn

作者简介

读了这篇文章的人还读了...

关闭
加载

PDF 加载中...