“国创中心”基地在纳米城开工,汉天下电子研发中心同步启动

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2022年1月4日,新年伊始,国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地于苏州工业园区纳米城成功举办了开工仪式。苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾,中科院纳米所副所长、江苏第三代半导体研究院院长徐科,苏州纳米科技发展有限公司党委书记董事长张淑梅,苏州汉天下电子有限公司董事长杨清华,苏州东微半导体股份有限公司董事长龚轶、苏州镭明激光科技有限公司董事长施心星、苏州恒泰控股集团有限公司副总裁唐国臣等领导和企业代表人出席活动并培土奠基。

仪式上倪乾主任发言表示,国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地,是园区推动“一区两中心”建设的重大布局,对于加速提升园区第三代半导体产业核心竞争力、打造优势产业集群具有重要意义。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地首期占地105亩,总建筑面积超20万平方米,总投资超18亿元,共13栋单体建筑,带动投资预计超50亿元。基地包括国家第三代半导体技术创新中心,以及汉天下电子研发中心、东微半导体总部和镭明激光总部等部分定建企业。

汉天下电子研发中心总建筑面积约1.7万平方米,规划建设8英寸体声波滤波器及射频模组生产厂房,主要包括高频滤波器研发生产线、射频模组封装线、产品性能测试实验室等,拟作为苏州汉天下未来的器件工艺研发和生产制造中心。

开工仪式上,汉天下创始人杨清华博士介绍了汉天下过去十年的发展。2019年落户苏州以后,纳米城从资金、场地、人才政策等全方位的支持,公司产品开始正式推向市场,陆续推出了包括适配5G技术的全频段n41滤波器在内的七款产品,产品可靠性高,我们的滤波器产品在2020年11月单月出货量突破1000万颗,截止目前累计出货已超过2亿颗,位居国内市场第一,目前汉天下成为国内出货量最大的体声波滤波器芯片公司,产品获得市场高度认可,真正实现了体声波滤波器的国产化,助力我国成为5G引领者。

但是,相比国际巨头,这还远远不够。杨清华博士认为有了国家第三代半导体技术创新中心这个研发平台以及随着汉天下八英寸MEMS产线的建成,汉天下将进一步加快研发速度,不断提升产品性能,以更快的速度推出体声波滤波器系列产品。同时杨清华博士说:半导体行业是高新技术产业,其竞争很大程度上是人才的竞争,希望借助这个平台优势,有更多的有志之士能够加入到我们汉天下公司。我们相信在纳米城的支持和引领下,能够联合产业界上下游一起为国家作出贡献。


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