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2021年山西科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目:涉及碳化硅、OLED等

来源:爱集微

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#莱特光电#

10-18 18:29

集微网消息,近日,山西省科学技术厅公布2021年度山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目,本次张榜项目共29个,分为企业重大技术攻关、重大基础前沿与民生公益两类。

在企业重大技术攻关类别中,包括大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发项目、8英寸碳化硅单晶生长设备研发项目、柔性OLED照明核心材料及其面板制备关键技术项目等。

在重大基础前沿与民生公益类别中,包括集成电路用高纯度半导体碳纳米管制备关键技术研发项目等。

大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发

项目研究目标

研制新产品6 英寸N型4H-SiC单晶衬底,填补国内6英寸N 型 4H-SiC 单晶衬底产业化空白,技术水平达到国际先进,满足新能源汽车、轨道交通、特高压输变电等“新基建”对高质量碳化硅衬底的需求。

项目达成后可实现产值3.5亿元、利润4000万元,助力国家相关产业实现自主可控。以半导体衬底这种基础材料强大的规模化基础,吸引省外产业上下游相关优质企业建厂或成立分公司,补齐我省第三代半导体产业链,带动我省形成第三代半导体产业集群,形成产业化示范。

项目研究内容

开展大尺寸4H-SiC单晶生长的热力学和动力学特性研究、晶体生长过程中杂质、多晶型和缺陷控制技术研究,突破有限元仿真双线圈高梯度坩埚热场结构设计、微管、位错、碳包体等缺陷抑制;开展4H-SiC单晶生长一致性、稳定性、低表面损伤单晶衬底规模化制备技术研发;研究高效、低损耗的加工技术和大尺寸 4H-SiC 单晶衬底表面粗糙度控制技术;推进大尺寸、低成本碳化硅单晶衬底材料产业化。

8英寸碳化硅单晶生长设备研发

项目研究目标

以提升自主可控的大尺寸碳化硅单晶材料生长能力为目的,开展设备研制与工艺应用的融合创新,强化设备工艺适应性、可靠性、稳定性,以提高碳化硅单晶尺寸、均匀性与生长速率为主要目标,研制高质量、高稳定性、自主可控的8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶生长设备,促进山西省碳化硅产业的持续发展。

项目研究内容

1. 超高温热场梯度仿真与控制技术:基于热场/流体场耦合仿真技术,研究 8 英寸碳化硅物理气相输运过程的稳定可控高温物质输运,并通过热场部件结构设计与热场仿真,构建适合碳化硅单晶生长的高温稳定热场。

2. 真空密封技术:基于真空物理基础与设计原理,设计先进密封结构,完成坩埚旋转运动部件的动密封,实现低漏率高真空度的设备密封,保证反应充分性与掺杂均匀性。

3. 晶体缺陷控制技术:结合单晶生长设备与工艺,研究碳化硅本征深能级点缺陷的形成机理及工艺技术,研究晶型控制、微管抑制与应力降低,获得适合自主研发单晶生长设备的配套工艺解决方案。

柔性OLED照明核心材料及其面板制备关键技术

项目研究目标

为推动我国半导体照明产业在“十四五”期间健康可持续发展,面向国家战略需求,以实现 OLED 照明面板的大面积化、轻量化、柔性化为目标,开发具有自主知识产权体系的有机半导体光电材料,实现国产化替代进口,从而解决制约我国柔性OLED 照明产业发展的“卡脖子”问题,掌握柔性 OLED 照明面板的制备的关键核心共性技术,构建完整的柔性 OLED 照明技术链、产品链和产业链。

项目研究内容

1. 设计与合成具有自主知识产权体系的核心材料—有机半导体光电材料,研发量产与升华提纯关键技术,实现小批量示范性生产;2.设计与制备高效稳定的柔性 OLED 照明器件;3.柔性OLED 照明面板制备关键技术与工艺研发,如真空镀膜制备技术、封装工艺、印刷制膜技术等。

集成电路用高纯度半导体碳纳米管制备关键技术研发

项目研究内容

1. 高纯度半导体单壁碳纳米管材料的大规模制备方法研究;2. 碳纳米管网络和阵列薄膜大面积制备方法研究;3. 高性能碳纳米管薄膜晶体管制备工艺研究;4. 对碳纳米管材料的高精度成像研究。

(校对/若冰)

责编: 若冰

西农落

作者

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邮箱:liuqy@lunion.com.cn

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