三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM

集微网消息，三星电子今（12）日宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)制程技术的14纳米 DRAM，继该公司于去年3月推出业界首款EUV DRAM后，三星已将EUV层的数量增加到5层，以为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。

据悉，随着DRAM不断缩小，EUV技术对于提高图形精度以获得更高性能和更高产量变得越来越重要。三星电子在14纳米 DRAM上使用了5层EUV，实现了最高的位密度，同时将整体晶圆生产效率提高了约20%。此外，与上一代DRAM节点相比，14纳米工艺可以降低近20%的功耗。

根据最新DDR5标准显示，三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度，速度高达7.2Gbps，是DDR4的两倍多。

三星计划扩大其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星希望将其14纳米DRAM芯片密度提高到24Gb，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示：“通过开创性的关键模式技术创新，我们已经引领了近30年的DRAM市场。如今，三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑，实现更加微型化的14纳米工艺，这是传统氟化氩 (ArF) 制程无法做到的。在此基础上，我们将继续为 5G、AI 和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算，提供最具差异化的内存解决方案。”

（校对/Yuki）