三星:数据的多样化使用和需求激增使存储行业变得越来越重要

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集微网消息,作为全球半导体行业之声的全球半导体联盟(Global Semiconductor Alliance; 以下简称GSA),于今日举办线上2021 全球半导体联盟存储峰会(GMC),本届会议主题为“构建数字未来”。

三星电子执行副总裁,全球存储销售和市场营销负责人Jin-Man Han在演讲中表示数据的多样化使用和需求激增使得存储作用变得越来越重要。

疫情的爆发在很多方面影响了人们的生活,我们逐渐适应了疫情,利用技术、新的方式来工作和学习,甚至是获得医疗救助,而大部分技术也将转移回IT行业。

Jin-Man Han表示,存储行业一直以来专注于大容量、高速和高带宽的需求。然而,为了满足日益增长的需求,存储行业也将需要更多的创新,三星也引领着行业变革。

Jin-Man Han介绍了三星在DRAM、NAND、存储计算等领域的新突破。今年年初,三星面向 AI 人工智能市场首次推出了 HBM-PIM 技术,新架构可提供两倍多的系统性能,并将功耗降低 71%。相比于冯·诺伊曼结构使用单独的处理器和内存单元来执行数百万个复杂的数据处理任务,三星新技术通过将 DRAM 优化的 AI 引擎放在每个内存库(存储子单元)内,将处理能力直接带到数据存储的位置,从而实现并行处理并最大限度地减少数据移动。

为强化服务器性能,进一步提升数据中心处理、运算速度,三星携手赛灵思,合力打造SmartSSD运算存储驱动器。SmartSSD CSD集成了赛灵思FPGA加速器,降低服务器CPU的限制,以减少资料的移动可降低延迟和功耗,实现加速资料处理的速度和效率。

三星研发的基于Compute Express Link(CXL)接口的新型DRAM模块采用EDSFF尺寸,将使服务器系统能够显着扩展其内存容量和带宽。新模块可以将内存容量扩展到TB级,减少由内存缓存引起的系统延迟,并允许服务器系统加速器AI,机器学习和高性能计算工作负载。

三星于三月宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现,达到 7200Mb/s。新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域,保证性能释放。

最后,Jin-Man Han表示,三星致力于绿色存储技术,减少存储计算的碳足迹,为更可持续的未来而创新。

(校对/木棉)

责编: 干晔
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