芯颖科技“RAM良率补救方法及装置”专利获批

集微网消息，中颖电子日前发布公告称，其子公司芯颖科技申请的一项发明专利已获得国家知识产权局颁发的发明专利证书。

据悉，该专利名称为“RAM良率补救方法及装置”，专利号为ZL 2018 1 0127735.9，系芯颖科技于2018年2月8日向国家知识产权局提交的一项发明专利。

该发明实施例提供一种随机存储器(RAM)良率补救方法及装置，属于自动检测领域。该方法首先通过对系统中多个RAM进行测试，以获得出错的目标RAM，然后将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上，以对所述备份RAM进行读写操作，该方法对出错的RAM进行良率补救的方式简单，同时删除因RAM测试及存储RAM出错位置而加入的较大规模的电路，简化系统中的电路设计，降低了设计成本。

另外，中颖电子在公告中指出，上述发明专利技术目前已应用于芯颖科技的产品，专利的取得不会对公司及芯颖科技目前的经营产生重大影响，有利于芯颖科技充分发挥主导产品的知识产权优势，提升核心竞争力。

（校对/Yuki）