助力超越摩尔！思锐智能与国家智能传感器创新中心战略合作签约仪式圆满举行

集微网消息，5月25日，“专注ALD创新 助力超越摩尔”2021思锐智能与国家智能传感器创新中心战略合作签约仪式暨SRII旗下BENEQ ALD产品技术路演在上海成功举办。

双方深化合作

据了解，近半年以来，思锐智能与国家智能传感器创新中心已成立了一个联合研发实验室，在国创中心也设立了思锐智能上海公司办公室，8英寸工业量产ALD设备也进入了超越摩尔研发中试线，落户上海智能传感器产业园，双方的合作其实已经在快速顺利的推进过程中。

青岛四方思锐智能技术有限公司总经理聂翔

对于此次战略合作，青岛四方思锐智能技术有限公司总经理聂翔表示：“未来双方将面向超摩尔领域，重点开展面向MEMS和CMOS图像传感器等重要领域的联合研发，以开放包容的机制为行业提供全面系统的技术解决方案。”

国家智能传感器创新中心副总裁焦继伟博士表示：“双方以ALD设备和技术作为起点和支点建立一个战略合作的关系，未来在制造设备的国产化本土化，包括半导体的新材料、MEMS新工艺和ALD的人工智能、互联网整个新应用等合作方面的成果也非常值得我们期待。”

据聂翔介绍，思锐智能成立于2018年并于同年9月收购了芬兰的BENEQ公司，公司有半导体装备和显示两大块业务，目前该公司正在逐步开展整个ALD镀膜以及薄膜电致发光显示器的本地化技术研发工作。

思锐智能可为客户提供三个方面的服务，一是开发服务，该公司可提供一系列整套的研发服务解决方案，帮助客户实现一些首批样品批量生产；二是整体ALD的设备，可应用于不同的领域、不同的场景；三是镀膜服务，可以做定制化的薄膜生产外包，小规模的试产和大规模的外包均可。

技术大有可为

“ALD技术可以说是集成电路、超越摩尔应用，包括一些泛半导体和其他的光学和锂电池等新兴领域的工业镀膜的关键技术。”聂翔如是说道。

对于ALD技术的优势，聂翔指出，与PVD和CVD技术相比，ALD技术可以使镀膜材料以单原子层的形式沉积在表面，在沉积层的厚度控制、3D复杂材料表面均匀度、表面无针孔等方面具有显著优势。

得益于众多优点，ALD技术在众多工艺中脱颖而出，在半导体领域中的新能源材料与器件领域也“大展身手”！

在氮化镓的功率器件解决方案中，ALD技术可以增强高功能氮化镓的性能，主要体现在以下五个方面，一是通过ALD薄膜实现表现的钝化和覆盖；二是通过氧化铝叠层实现高K介电质的沉积；三是通过原位预处理去除自然氧化层，实现表面稳定，以提高整个器件的性能；四是通过低温ALD叠层实现精密封装；五是通过高质量的ALD氮化铝形成缓冲层，目前正处于研发阶段。

在碳化硅解决方案中，ALD能够实现非常高质量的介电质以及界面工程，通过使用ALD技术，降低界面态的密度，提升整个电子迁移率，从而提升整个器件的性能。

在碳化硅MOSFET解决方案中，传统的氧化物有可能会因为碳化硅不同的晶体暴露而实现氧化，但是有了ALD技术，这个问题就可以得到很好的解决。

另外，在原位等离子的处理中，ALD技术可以实现高效的碳化硅钝化。等离子处理后，整体的钝化效果和碳化硅的情况都能够得到很好的优化。

总结：未来思锐智能也将携芬兰子公司BENEQ继续加大全面的本地化，推进ALD技术和设备的研发。正如聂翔所说：“未来我们希望也能够聚焦于超越摩尔、集成电路和泛半导体的领域，快速拓展到光学和锂电等领域，提供一流、创新的ALD解决方案。”

（校对/木棉）