中科潞安参与，氮化镓基高效深紫外LED芯片技术项目已小批量生产

集微网消息，据山西日报报道，山西中科潞安紫外光电科技有限公司协同中科院半导体所、中科潞安半导体技术研究院共同承担的“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目取得突破。

据悉，项目单位围绕高质量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配异质外延缺陷与应力调控、高效量子结构设计与外延、高光效深紫外LED芯片的关键制备技术及先进封装技术开展研究工作，显著提升了深紫外LED芯片的内量子效率和光提取效率，制备出的大功率深紫外LED芯片，发光功率超过40mW，并开发出发光功率超过1W的深紫外LED模组，模组寿命超过5000小时。

目前，相关大功率产品已小批量生产，待产业化规模放大后，可有效降低芯片成本，推动深紫外LED产业开辟新的应用领域和市场，带动上下游相关产业发展。

据了解，2018年4月成立的山西中科潞安紫外光电科技公司，主要开展紫外LED芯片和MOCVD设备、紫外杀菌设备的生产和销售。2018年5月成立的山西中科潞安半导体技术研究院，主要开展半导体材料技术、紫外封装技术、应用技术研发与工业设计、产品检验检测及行业标准制定等业务。（校对/若冰）