基本半导体：碳化硅功率器件高速发展，硅基IGBT将与之共存

集微网消息，4月14日-16日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心盛大开幕，基本半导体携全系碳化硅产品亮相展会。

基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

基本半导体技术营销副总监 刘诚表示，随着新能源汽车特别是电机控制产业的兴起，碳化硅器件现在逐步往消费级产品渗透，也是基本半导体的重点方向。目前车规级产品、消费产品以及工业产品是基本半导体主攻的三大方向。

刘诚指出，电动汽车市场非常广阔，碳化硅功率器件未来需求增长量绝大部分都是在汽车电机控制器中，但这部分产业链的成熟期比较久，国内相对而言有一些落后，但投入了很多资源。不过，目前有一些新能源造车势力比较倾向于寻找国内厂商进行合作，在时代大背景下，碳化硅的需求会逐步走高，国内产业的机会也会越来越多。

对于碳化硅功率器件未来是否会替代硅基IGBT，刘诚对集微网表示，两者之间会长时间共存，但会形成一定的分水岭。第三代半导体最大特点是宽禁带，特别适用于高压以及一些对功率要求或者功率密度要求比较高、效率比较高的场合。这些场合，未来碳化硅器件有可能大规模替代硅基产品，但主要还是取决于系统成本能不能达到平衡。

除此之外，如工业变频器等现阶段大量使用IGBT器件的领域，目前暂未看到大规模替代的动能。短时间内，两者还是出于共存的局面。未来碳化硅产品将逐步从高端行业慢慢向中部靠拢，硅基的IGBT会慢慢退出，达到两者平衡的阶段。随着碳化硅成本逐步降低，未来市场份额可能会继续走高。

（校对/Carrie）