• 收藏

  • 点赞

  • 评论

  • 微信扫一扫分享

集邦咨询:第三代半导体今年高速增长,氮化镓功率器件规模年增90.6%

来源:爱集微

#三代半#

2021-03-12

集微网消息,TrendForce集邦咨询指出,受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。

TrendForce进一步指出,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额资金扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

据TrendForce调查,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电、世界先进等尝试导入8英寸晶圆生产,但现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。

TrendForce预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔记本配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。

SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元,年增32%。目前各大衬底商如科锐(CREE)、贰陆(II-VI)、意法半导体等已陆续开展8英寸衬底研制计划,但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。

(校对/Carrie)

责编: 刘燚

Jimmy

作者

微信:L_canvas

邮箱:zhangshh@lunion.com.cn

作者简介

早日退休

读了这篇文章的人还读了...

关闭
加载

PDF 加载中...